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HORIBA D700uF 微流量压强不敏感质量流量模块产品介绍

更新时间:2026-08-24点击次数:8

HORIBA D700uF 微流量压强不敏感质量流量模块产品介绍

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HORIBA D700uF(D717uF)是堀场CRITERION™系列压强不敏感MFC、压力式差压微流量质量流量模块,专为半导体先进制程极小流量气体管控量身打造,区别于传统热式MFC,凭借独特的压力传感+层流限流检测原理,解决微流量工况下压力波动干扰、控制精度差、稳定性不足等行业痛点,是半导体微流量控制、ALD气体控制、高深宽比刻蚀、离子注入掺杂场景的核心流体控制设备。设备沿用D700系列成熟平台架构,安装尺寸与D700MG、D700T型号兼容,可直接替换升级,适配各类量产半导体设备气路系统。

一、核心工作原理(压强不敏感核心优势)

D700uF作为差压式MFC,摒弃传统热式检测方式,依托高精度压力传感器搭配专用层流限流元件,通过压力差值精准换算气体质量流量,具备良好的压强不敏感特性。设备不受上下游管路压力扰动影响,无需搭配前端复杂稳压组件,从根源规避压力波动带来的流量偏移问题,在微量气体控制场景中,实现持续、稳定、精准的流量输出,适配先进制程MFC、微量前驱体控制等高严苛工艺场景。

二、核心产品特点

1. 稳定微流量控制,控制精度优异

专属定制低流量基准组件,氮气基准可实现0.025SCCM微流量控制,全覆盖0-5SCCM微流量量程区间,匹配半导体微量工艺气体配比需求。设备检测精度可达±1%设定点(高段),低流量段精度可达±0.1~0.2%FS,重复性稳定在±0.25%设定点,改善微流量工况下配比偏差大、工艺一致性差的问题,保障制程生产良率。

2. 百毫秒高速响应,适配高频制程

搭载高性能常闭压电执行器,作为压电阀质量流量控制器,阶跃上升响应时间≤100ms,动态响应表现良好。多设备同步运行时一致性偏差低,可适配ALD原子层沉积、高频刻蚀等快速气体切换制程,满足设备高频启停、快速换气的工艺需求。

3. 超洁净耐腐蚀,低泄漏高可靠

整机采用SUS316L、镍合金接液材质,搭配专属PFA喷嘴阀座结构,提升阀门密封性与耐腐蚀性,降低颗粒析出风险。设备氦检漏泄漏率≤5×10⁻¹² Pa·m³/s,阀座泄漏量<0.015SCCM(N₂),属于低泄漏MFC、超洁净MFC,可稳定适配各类高纯腐蚀性气体控制场景。

4. 智能状态监测,支持预测性维护

内置智能数据采集模块,可实时监测阀门动作计数、调零次数、介质压力、工作温度等核心运行数据,实现设备状态实时溯源,支持预测维护,有效规避设备故障、减少非计划停机,大幅提升生产线运行稳定性与连续性。

5. 工业级总线通讯,适配量产设备

原生搭载EtherCAT质量流量控制器标准总线,适配24VDC工业供电规格,可无缝对接半导体设备主控系统,通讯稳定、传输速率快,适配自动化量产生产线控制需求(本型号适配固定工艺量产场景,不支持在线修改气体与满量程参数)。

三、关键性能参数

量程(N₂):满量程最大5SCCM,可控0.025SCCM响应时间:≤100ms(上升建立时间)控制精度:±1%设定点(高段),低流量段±0.1~0.2%FS重复性:±0.25%设定点阀座泄漏量:<0.015SCCM(N₂)接液材质:SUS316L、镍合金、PFA通讯方式:EtherCAT工业总线工作温度:15-45℃

四、典型应用场景

广泛应用于半导体先进制程核心工艺,涵盖高深宽比干法刻蚀、ALD原子层沉积微量前驱体供给、离子注入微量掺杂、第三代半导体、微纳薄膜沉积等场景,是半导体行业微流量、高稳定性气体控制的主流压力式MFC设备。

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0.025SCCM微流量MFC、≤100ms高速响应、EtherCAT质量流量控制器、PFA喷嘴、超洁净MFC、低泄漏MFC、压电阀质量流量控制器、预测维护、压强不敏感

半导体微流量控制、ALD气体控制、高深宽比刻蚀、离子注入掺杂、先进制程MFC、微量前驱体控制、高纯腐蚀性气体控制

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