日本科研(DNK)化合物半导体掩膜对准器DNK的曝光机主要用于科研和小批量生产，比如液晶、晶圆、胶片这类材料的实验和加工。 它支持接触式和接近式曝光，面板尺寸最大能做到500×500mm，光源用的是超高压汞灯，功率从500W到3.5kW不等，光学系统可以灵活组合镜片和透镜来适配不同需求。

日本科研(DNK)化合物半导体掩膜对准器

DNK曝光机的技术特点核心是灵活的光学系统、稳定的曝光控制以及适配多种工艺，特别适合小批量生产和实验研究。DNK的曝光机主要用于科研和小批量生产，比如液晶、晶圆、胶片这类材料的实验和加工。 它支持接触式和接近式曝光，面板尺寸能做到500×500mm，光源用的是超高压汞灯，功率从500W到3.5kW不等，光学系统可以灵活组合镜片和透镜来适配不同需求。

一、光学系统灵活可调

‌光源选择多样‌：支持500W、1kW、2kW、3.5kW超高压汞灯，能根据材料厚度和精度需求灵活搭配。

‌光学组件可定制‌：配备多种透镜和聚光镜，可优化光束均匀性和聚焦效果，适应不同尺寸的基板。

二、曝光模式与精度控制

‌支持接触/接近曝光‌：接触式（软/硬）适合高精度成像，接近式减少基板损伤，兼容性广。

‌自动间隙控制‌：MA-1200A等机型能稳定控制曝光距离，确保成像一致性。

三、适用场景与工艺

‌小批量生产利器‌：专为高混合、小批量设计，适合PCB、FPC、LCD、HDI等行业。

‌实验研究友好‌：支持多种基板尺寸（500×500mm），满足科研和试制需求。

四、其他实用设计

‌能量均匀性高‌：部分型号（如MA-4100）能量均匀性≥90%，提升曝光质量。

‌结构稳固耐用‌：采用不锈钢材质，净重达900KG，确保设备稳定运行。

日本科研(DNK)化合物半导体掩膜对准器

它是一种曝光装置，将光刻胶涂层基板叠加在掩膜上并烘焙图案，配备示波器和X、Y、0级自动对齐多层曝光的机构，并自动送入、对齐、曝光和弹出基底。

主要特征

·独特的并行弹壳机构高精度地设置掩盖与晶圆之间的接近间隙。

·通过独特的高速图像处理技术实现高精度对准。

·预对准还兼容使用图像处理技术的薄基板、扭曲基板、晶体及其他易碎晶圆。（可选）

·独特的接触压力精密控制机制使晶圆能够高精度地接触掩膜。

·晶圆背面的真空吸附系统确保高速、高精度和稳定的自动传输。