日本科研(DNK) ‌无掩膜曝光装置‌光刻设备DNK的曝光机主要用于科研和小批量生产，比如液晶、晶圆、胶片这类材料的实验和加工。 它支持接触式和接近式曝光，面板尺寸最大能做到500×500mm，光源用的是超高压汞灯，功率从500W到3.5kW不等，光学系统可以灵活组合镜片和透镜来适配不同需求。

日本科研(DNK) ‌无掩膜曝光装置‌光刻设备

DNK曝光机的技术特点核心是灵活的光学系统、稳定的曝光控制以及适配多种工艺，特别适合小批量生产和实验研究。DNK的曝光机主要用于科研和小批量生产，比如液晶、晶圆、胶片这类材料的实验和加工。 它支持接触式和接近式曝光，面板尺寸能做到500×500mm，光源用的是超高压汞灯，功率从500W到3.5kW不等，光学系统可以灵活组合镜片和透镜来适配不同需求。

一、光学系统灵活可调

‌光源选择多样‌：支持500W、1kW、2kW、3.5kW超高压汞灯，能根据材料厚度和精度需求灵活搭配。

‌光学组件可定制‌：配备多种透镜和聚光镜，可优化光束均匀性和聚焦效果，适应不同尺寸的基板。

二、曝光模式与精度控制

‌支持接触/接近曝光‌：接触式（软/硬）适合高精度成像，接近式减少基板损伤，兼容性广。

‌自动间隙控制‌：MA-1200A等机型能稳定控制曝光距离，确保成像一致性。

三、适用场景与工艺

‌小批量生产利器‌：专为高混合、小批量设计，适合PCB、FPC、LCD、HDI等行业。

‌实验研究友好‌：支持多种基板尺寸（500×500mm），满足科研和试制需求。

四、其他实用设计

‌能量均匀性高‌：部分型号（如MA-4100）能量均匀性≥90%，提升曝光质量。

‌结构稳固耐用‌：采用不锈钢材质，净重达900KG，确保设备稳定运行。
日本科研(DNK) ‌无掩膜曝光装置‌光刻设备

这是一种能够通过独特高速绘图“点阵法"直接绘制图案的设备。

主要特征

·直接图像曝光可用于研发、厉原型制作和小批量生产等应用。

·它能够处理半导体、电子元件、屏蔽、金属掩盖、E刷电路板和高密度封装、MEMS、FPD等。

·光刻过程中无需光罩，限度地降低了显影成本和上市时间。

·此外，我们还能根据您的需求响应设备配置。