日本DNK科研株式会社垂直近距光刻系统DNK的曝光机主要用于科研和小批量生产，比如液晶、晶圆、胶片这类材料的实验和加工。 它支持接触式和接近式曝光，面板尺寸最大能做到500×500mm，光源用的是超高压汞灯，功率从500W到3.5kW不等，光学系统可以灵活组合镜片和透镜来适配不同需求。

日本DNK科研株式会社垂直近距光刻系统

DNK曝光机的技术特点核心是灵活的光学系统、稳定的曝光控制以及适配多种工艺，特别适合小批量生产和实验研究。DNK的曝光机主要用于科研和小批量生产，比如液晶、晶圆、胶片这类材料的实验和加工。 它支持接触式和接近式曝光，面板尺寸能做到500×500mm，光源用的是超高压汞灯，功率从500W到3.5kW不等，光学系统可以灵活组合镜片和透镜来适配不同需求。

一、光学系统灵活可调

‌光源选择多样‌：支持500W、1kW、2kW、3.5kW超高压汞灯，能根据材料厚度和精度需求灵活搭配。

‌光学组件可定制‌：配备多种透镜和聚光镜，可优化光束均匀性和聚焦效果，适应不同尺寸的基板。

二、曝光模式与精度控制

‌支持接触/接近曝光‌：接触式（软/硬）适合高精度成像，接近式减少基板损伤，兼容性广。

‌自动间隙控制‌：MA-1200A等机型能稳定控制曝光距离，确保成像一致性。

三、适用场景与工艺

‌小批量生产利器‌：专为高混合、小批量设计，适合PCB、FPC、LCD、HDI等行业。

‌实验研究友好‌：支持多种基板尺寸（500×500mm），满足科研和试制需求。

四、其他实用设计

‌能量均匀性高‌：部分型号（如MA-4100）能量均匀性≥90%，提升曝光质量。

‌结构稳固耐用‌：采用不锈钢材质，净重达900KG，确保设备稳定运行。

日本DNK科研株式会社垂直近距光刻系统

它是一台近接曝光机，能够实现大片基材(42英寸，16边）的均匀曝光。

主要特征

·专有技术

<光学间隙传感器，支持高精度>实现近距间隙的高速高精度设置，无需接触。

<高速图像处理技术>掩膜和掩模与基板的高精度对准。

·稳定的运输

面罩架和板段垂直放置，无需补偿面罩、面罩座和板段的偏移。

·基于碳纤维光刻设备等对清洁措施要求更严格的成果和设计，我们实施了考虑驱动单元尘埃生成和气流的清洁措施。

技术优势

1.大型基底的全表面暴露是可能的。

2.通过在曝光表面垂直配置掩膜和基材，无需补偿因自身重量引起的偏移。

3.自研的非接触光学间隙传感器允许以高速且高精度地设置掩膜与基板之间的接近间隙。

4.非接触式边缘传感器支持板块高精度预校准。

5.利用其独特的高速图像处理技术，可以高精度地对准掩膜及其与基板之间的位置。

6.通过采用低转角光学系统，提高了转E精度。

7.独特的镜面光学系统设计实现了整个表面均匀的平行光照射。

8.主体与光源的分离减少了对主体的热冲击。